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CVD石墨烯薄膜

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产品名称

悬空自助转移单层石墨烯

悬空自助转移单层石墨烯 (WJSS),在“泡-取”式石墨烯的基础上,刻蚀掉铜基底得到石墨烯/保护层薄膜,然后再将石墨烯/保护层薄膜转移至“悬空基底”上,客户拿到产品后只需将本产品在去离子水中轻轻释放可得到可直接转移至任何基底的石墨烯。
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单面生长铜基底石墨烯

单面生长铜基底石墨烯(WJCOS/F)是采用特殊生产工艺让石墨烯只生长在铜箔一侧表面的产品,可以提供单层石墨烯薄膜、双层石墨烯薄膜和少层石墨烯薄膜。
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泡取式石墨烯

“泡-取”式石墨烯(WJCDS/F)是在铜基底石墨烯旋涂上一层保护膜,再经过洁净处理制备而得。本产品使用方便,可以直接将其放进铜刻蚀液里刻蚀(刻蚀液可以为过硫酸铵溶液,氯化铁溶液,硫酸铜盐酸的水溶液等),再转移到去离子水里将刻蚀液漂洗后即可使用。由于在制备本产品时已经做过洁净处理,由本产品制备的石墨烯洁净度较高,客户可以在刻蚀液里“泡”出石墨烯,根据自己的需求很方便的转移到需要的地方。
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PET基底石墨烯

PET基底石墨烯(WJPS/F):石墨烯转移至任意类型PET上。可以提供单层石墨烯薄膜、双层石墨烯薄膜和少层石墨烯薄膜,薄膜尺寸大小均可定制。
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悬空自助转移少层石墨烯

悬空自助转移少层石墨烯(WJSF),在“泡-取”式石墨烯的基础上,刻蚀掉铜基底得到石墨烯/保护层薄膜,然后再将石墨烯/保护层薄膜转移到制备的“悬空基底”上,客户拿到产品后只需将其在去离子水中轻轻释放可得到可直接转移至任何基底的石墨烯。
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石英基底石墨烯

石英基底石墨烯(WJQS/F):石墨烯转移至任意类型石英片的表面。可以提供单层石墨烯薄膜、双层石墨烯薄膜和少层石墨烯薄膜,薄膜尺寸大小均可定制。
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自助转移镍泡沫石墨烯

自助转移镍泡沫石墨烯 (WJSN):将镍泡沫石墨烯放在镍刻蚀液中刻蚀镍,再移到制备的“悬空基底”上,客户拿到产品后只需将其在去离子水中轻轻释放可得到可直接转移至任何基底的泡沫状石墨烯。镍泡沫石墨烯用途广泛,可用于锂电池的电极材料,大大提高电池容量,还可用于传感器、电化学电容等。
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镍泡沫基底石墨烯

镍泡沫基底石墨烯(WJN):石墨烯按镍泡沫的结构生长。镍泡沫石墨烯用途广泛,可用于锂电池的电极材料,大大提高电池容量,还可用于传感器、电化学电容等。
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铜基底石墨烯

铜基底石墨烯 (WJCS/F),石墨烯生长在铜箔表面,可以提供铜基底单层石墨烯薄膜、双层石墨烯薄膜和少层石墨烯薄膜。
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蓝宝石基底石墨烯

蓝宝石基底石墨烯(WJSAS/F):石墨烯转移至蓝宝石基底上。可以提供单层石墨烯薄膜、双层石墨烯薄膜和少层石墨烯薄膜,薄膜尺寸大小均可定制。
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氧化硅片基底石墨烯

氧化硅片基底石墨烯:石墨烯转移至任意类型硅片或氧化硅片的表面。
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多层氮化硼薄膜

h-BN是具有5.97ev带隙的绝缘体,其平面内有很强的sp2共价键,因此被报道其面内机械强度和热传导率接近石墨烯材料。h-BN具有更强的化学稳定性,可在1000 °C高温下稳定存在(然石墨烯稳定存在的温度只有1000 °C)。采用CVD法制备时,h-BN生长在铜箔的两侧。
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黑磷晶体粉末

近年来,石墨烯材料具有优异的电学性质而备受关注,无质量的狄拉克费米子使其具有高达 15000 cm2/Vs 的载流子迁移率,但是带隙的缺乏不利于电子器件的应用,因此具有半导体特性的类石墨烯材料成为人们的研究热点。黑磷是磷稳定的一种同素异形体,具有类似于石墨的层状结构。通过机械剥离的办法可以得到单层或少数层黑磷。
产品名称

单层氮化硼薄膜

h-BN是具有5.97ev带隙的绝缘体,其平面内有很强的sp2共价键,因此被报道其面内机械强度和热传导率接近石墨烯材料。h-BN具有更强的化学稳定性,可1000 °C高温下稳定存在(然石墨烯稳定存在的温度只有1000 °C)。采用CVD法制备时,h-BN生长在铜箔的两侧。
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黑磷晶体

黑磷应用非常广泛,与石墨烯材料相比,同样由单原子层堆叠而成,石墨烯没有半导体带隙,难以完成导体和绝缘体之间的转换,不能实现数字电路的逻辑开与关,而黑磷则具有一个半导体带隙,因此可以说是天然的半导体材料。与其他的磷的同素异构体(白磷、黑磷)相比,黑磷是热力学稳定的半导体材料,具有高的载流子迁移率,可以应用于场效应晶体管、各向异性运输和光电设备等方面。我司将晶体片状加工成粉末装可以方便客户进行化学实验,做进一步修饰。另外也方便客户做成黑磷分散液,通过离心获取单层、少层和多层的黑磷溶液。
产品名称

高质量PET

产品简介 Introduction

   尺寸:A4大小

   价格:100元/片

产品参数 Product Parameter

   厚度:188微米

   品名:双面硬化PET

   特性:PET白膜面硬度为3H,绿膜面硬度为2H

特性:PET白膜面硬度为3H,绿膜面硬度为2H
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