CVD石墨烯是一种用于化学、材料科学、能源科学技术、化学工程领域的分析仪器。下面为大家介绍下CVD石墨烯的技术指标介绍?希望能给更多的人带来帮助。

CVD石墨烯有两种主流的生长方式真空和常压。它由计算机自动控制。该系统内置了各种石墨烯生长参数。事实上用户可以通过简单的操作轻松制备出高质量的石墨烯。如单畴尺寸可达数毫米的石墨烯大单晶、数十厘米尺寸的石墨烯多晶薄膜、13C同位素石墨烯等。CVD石墨烯为研究人员提供了大量的研究机会，同时为各种科学思想的实现提供了完善的实验平台。事实上，该产品兼容真空和常压两种主流生长模式。G-CVD系统是一个完整的CVD石墨烯包括硬件和软件部分。在常压大气或真空条件下工作，通过控制石墨烯的生长可以在10-3托到760托之间的任意压力下进行。这么多年来，公司致力于国内外市场的拓展与开发，采用线上互联网电子商务平台及线下实体销售两种方式齐同并进。

CVD石墨烯具有多种内置的生长参数。整个石墨烯生长过程的重要参数由计算机精确控制，包括温度、气体流量等。控制软件内置各种生长优化参数，用户只需将基板放入样品室中，开始成长。此外，你还需要知道的是，实际上优良CVD石墨烯是在自然界中制备的，单晶尺寸可以达到几毫米。使用特别优化的生长条件，可以获得几毫米大小的单畴单晶。在多晶薄膜方面，也可以制备几十厘米大小的单层石墨烯薄膜。生长13C同位素石墨烯，研究石墨烯生长动力学G-CVD系统有13C同位素选项，交替生长不同同位素的石墨烯，CVD石墨烯生长动力学。正好这里是是专业从事石墨烯和纳米银线等新材料应用开发的国家高新技术企业。核心产品包括石墨烯纳米银线复合柔性透明导电膜、石墨烯远红外柔性发热模组及石墨烯原材等。

通过上述内容对介绍以后，我们也对CVD石墨烯的技术指标有了进一步的了解。以后再看到他的时候就不会感到陌生了，而且在使用的过程中也不会经常出现问题。好了，今天的内容就说到这里，相信还会带来更多精彩的知识点。