目前市面有少数组件是采用自旋编码(spinencoding)，包括一些先进的硬盘机以及磁阻式随机存取内存(MRAM)；但这些组件仅能将自旋编码后的电子移动数纳米，所采用的铜与铝等金属的均匀度不足，无法让电子移动更长的距离，限制了自旋电子组件的性能。为此查尔摩斯理工大学的目标是让自旋编码后的电子移动距离拉长到微米(micrometer)等级，好让各种数字电路都能利用自旋电子。

高电子迁移率的石墨烯(graphene)一直被视为延长摩尔定律(Moore"s Law)的关键，而因为石墨烯的均匀性(uniformity)优于金属，也使其成为纳米自旋电子组件(spintronic device)的候选材料。英国查尔摩斯理工大学(Chalmers University of Technology)的纳米制造实验室(Nano fabrication Laboratory)表示，自旋电子组件能以个别电子自旋来编码信息，而不是透过成千上万的电荷，因此组件的尺寸可望进一步微缩、功耗也能比硅芯片来得更低。

查尔摩斯理工大学教授SarojDash的团队近期利用化学气相沉积(CVD)技术，将石墨烯沉积到铜基板上，再于室温下转移至绝缘上覆硅(SoI)晶圆片，成功实现了长距离的自旋电子通讯；结果显示自旋电子传输距离可扩展至16微米。

Dash的团队成员、博士候选人Venkata Kamalakar Mutta表示："石墨烯能以三种方式取得：一是从石墨块状晶体以机械剥离，这也是被广泛使用的方式；二是磊晶方式，透过移除表层的硅原子，在碳化硅(SiC)晶圆片上长出石墨烯，是大面积应用的适合方案；此外则是在铜箔上以化学气相沉积石墨烯，再利用化学溶解铜，将之转移至任何一种基板上。"他指出，在这些方法中，化学气相沉积法是比较可行的。

Mutta指出，他们在实验室的设置，是在石墨烯两端放置两个铁磁体(ferromagnetic)电极，完整的电路也有其他参考电极，但可能不是采用铁磁体；其中有两个电路，一是电流、一是电压，相互隔离以忠实量测自旋讯号。目前Dash的团队已经制作了几个简单的电路原型，下一步则是制作内存、处理器甚至更复杂的电路，并将进一步改善制作单晶石墨烯晶圆片的化学气相沉积技术。