CVD石墨烯薄膜一般是指通过CVD方法制备的单层石墨烯。因为它是单层的，所以其强度、导电性和透明度相对较好。石墨烯是已知强度很高的材料之一，它还具有良好的韧性，可以弯曲。石墨烯的理论杨氏模量为1.0tpa，固有抗拉强度为130gpa。氢等离子体改性的还原石墨烯也具有很好的强度，平均模量可以大于0.25tpa。下面介绍一下CVD石墨烯基本知识：

一、 CVD石墨烯的主要生长路径

1、“直接生长”，催化裂化产生的碳原子直接在催化剂表面成核，然后生长成石墨烯薄膜;

2、“迂回生长”，催化裂化表面碳原子渗入本体相，溶解，然后在表面沉淀，成核并生长形成石墨烯膜。两条平行生长路径的贡献取决于金属催化剂的碳溶解能力、金属碳化物的形成及其在生长温度下的化学稳定性。

二、 CVD石墨烯的基本制备过程是：

将母材金属箔放入炉内，注入氢气、氩气或氮气保护，加热至约1000℃，稳定温度，保持约20min;然后停止供给保护气体，改为供给碳源(如甲烷)气体，约30min，反应完成;切断电源，关闭沼气，然后通入保护气体排出沼气。在保护气体环境中，直到管道冷却至室温，取出金属箔，并在金属箔上获得石墨烯。衬底是石墨烯生长的重要条件。目前，有8～10种过渡金属(如Fe、Ru、Co、Rh、IR、Ni、PD、Pt、Cu、AU)和合金(如Co-Ni、AU-Ni、Ni-Mo、不锈钢)可以用作制备石墨烯的基底金属。过渡金属在石墨烯的CVD生长中既是基质又是催化剂。

三、 常见的CVD石墨烯薄膜种类

硅基石墨烯膜、泡沫塑料石墨烯膜、蓝宝石基石墨烯膜、石英基石墨烯膜、铜基石墨烯膜、单面生长铜基石墨烯膜、pet石墨烯膜、悬浮式自助转移石墨烯膜、氧化硅基石墨烯膜、镍泡沫石墨烯膜(3D石墨烯)、自助转移镍泡沫石墨烯膜等，CVD可以制备大面积单层石墨烯薄膜和多层石墨烯薄膜，以满足不同客户的需求。

四、 CVD石墨烯的抗菌原理

1、物理切割方法，即细菌与石墨烯基材料直接接触后，锋利的材料层刺穿细菌膜，导致细胞内容物流出并杀死细菌;

2、氧化应激途径，即细胞膜与石墨烯基材料直接接触后，通过电荷转移或活性氧生成刺激自由基反应，从而破坏细菌和重要生物大分子的膜结构并死亡;

3、破坏脂质分子途径，即石墨烯纳米片可以在短时间内插入细菌细胞膜中提取磷脂成分，或直接扩散到细胞膜表面，导致脂质分子翻转，导致细菌开裂和死亡。