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高质量氧化硅片基底石墨烯薄膜

分类：行业动态
作者：微晶材料科技
来源：合肥微晶材料科技有限公司
发布时间：2023-08-19
访问量：822

【概要描述】石墨烯转移至氧化硅片上，公司也可以转移石墨烯至客户提供的氧化硅片上。
氧化硅参数：
类型：P型重掺杂（R：3*10-3Ωcm）
厚度：525±20μm
氧化层厚度：300nm

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高质量氧化硅片基底石墨烯薄膜

分类：行业动态
作者：微晶材料科技
来源：合肥微晶材料科技有限公司
发布时间：2023-08-19
访问量：822

详情

石墨烯转移至氧化硅片上，公司也可以转移石墨烯至客户提供的氧化硅片上。

氧化硅参数：

类型：P型重掺杂（R：3*10^-3_Ωcm）

厚度：525±20μm

氧化层厚度：300nm

氧化硅片基底石墨烯薄膜产品规格
产品编号	产品名称	尺寸规格	等级	方阻Ω/◇	备注
WJOSA1	氧化硅片基底单层石墨烯	1cm*1cm	A	300-600	A级单层覆盖率大于97% B级单层覆盖率大于85% 少层厚度石墨烯在10层以内逐层累加转移可根据要求定制层数方块电阻可达百万欧姆级可提供原始拉曼数据可提供定制服务
WJOSA2		2cm*2cm	A	300-600
WJOSA3		5cm*5cm	A	300-600
WJOSA4		7cm*7cm	A	300-600
WJOSB1	氧化硅片基底单层石墨烯	1cm*1cm	B	700-1500
WJOSB2		2cm*2cm	B	700-1500
WJOSB3		5cm*5cm	B	700-1500
WJOSB4		7cm*7cm	B	700-1500
WJOF1	氧化硅片基底少层石墨烯	1cm*1cm		500-1200
WJOF2		2cm*2cm		500-1200
WJOF3		5cm*5cm		500-1200
WJOF4		7cm*7cm		500-1200

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