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CVD石墨烯薄膜(硅片-泡取-PET-石英-悬空转移-铜-蓝宝石基底)

CVD石墨烯薄膜(硅片-泡取-PET-石英-悬空转移-铜-蓝宝石基底)

  • 分类:行业动态
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-04-29
  • 访问量:837

【概要描述】CVD法是目前能够制备出高质量、大面积石墨烯的方法,是石墨烯薄膜实现产业化生产zui具潜力的方法。化学气相沉淀CVD法具体过程:将一种含碳的气态物质在高温和真空的环境下用氢气作为还原性气体通入带炉内,生产石墨烯全部都是沉积的衬底表面,冷却过程中在基底表面便会形成数层或单层石墨烯,此过程中包含碳原子在基底上溶解及扩散生长两部分。

CVD石墨烯薄膜(硅片-泡取-PET-石英-悬空转移-铜-蓝宝石基底)

【概要描述】CVD法是目前能够制备出高质量、大面积石墨烯的方法,是石墨烯薄膜实现产业化生产zui具潜力的方法。化学气相沉淀CVD法具体过程:将一种含碳的气态物质在高温和真空的环境下用氢气作为还原性气体通入带炉内,生产石墨烯全部都是沉积的衬底表面,冷却过程中在基底表面便会形成数层或单层石墨烯,此过程中包含碳原子在基底上溶解及扩散生长两部分。

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CVD法是目前能够制备出高质量、大面积石墨烯的方法,是石墨烯薄膜实现产业化生产zui具潜力的方法。化学气相沉淀CVD法具体过程:将一种含碳的气态物质在高温和真空的环境下用氢气作为还原性气体通入带炉内,生产石墨烯全部都是沉积的衬底表面,冷却过程中在基底表面便会形成数层或单层石墨烯,此过程中包含碳原子在基底上溶解及扩散生长两部分。

CVD法制备石墨烯的基本过程:

把基底金属箔片放入炉中,通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右,稳定温度,保持20min左右;然后停止通入保护气体,改通入碳源(如甲烷)气体,大约30min,反应完成;切断电源,关闭甲烷气体,再通入保护气体排净甲烷气体,在保护气体的环境下直至管子冷却到室温,取出金属箔片,得到金属箔片上的石墨烯。

合肥微晶材料科技能够提供高质量大面积CVD石墨烯薄膜,石墨烯薄膜品类有单层和少层(尺寸可定制):

铜基底石墨烯薄膜、单面生长铜基底石墨烯薄膜、PET石墨烯薄膜、悬空自助转移石墨烯薄膜、氧化硅基底石墨烯薄膜、硅基底石墨烯薄膜、泡-取式石墨烯薄膜、蓝宝石基底石墨烯薄膜、石英基底石墨烯薄膜、镍泡沫石墨烯薄膜(3D石墨烯)、自助转移镍泡沫石墨烯薄膜

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